IBM y Samsung aseguran que su nuevo chip podrá ofrecer hasta una semana de batería en dispositivos móviles

Cargando un móvil

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  • IBM y Samsung están desarrollando un nuevo chip que podría ofrecer hasta una semana de batería en dispositivos móviles. 
  • Se trata de una tecnología que cambia la forma en la que se apilan los transistores y que según ambas compañías "mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de energía".
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Parece que pasar por el cargador tiene los días contados o más bien hacerlo cada día o 2 días, dependiendo del dispositivo que tengas contigo. 

IBM y Samsung han anunciado un diseño absolutamente rompedor de un semiconductor que en vez de apilar transistores sobre la superficie del mismo, lo que hace es apilarlos de manera vertical. 

¿Y esto cómo se traslada al mundo real? Pues muy simple: parece que será capaz de mejorar el consumo de energía de los smartphones y que fuesen capaces de aguantar hasta una semana sin pasar por el cargador

El nuevo diseño de Transistores de Efecto de Campo de Transporte Vertical (VTFET) viene a ser el sucesor de la actual tecnología FinFET que se utiliza en algunos de los chips más avanzados de la industria y podría permitir crear chips con una mayor densidad de transistores que lo que hay actualmente. 

Con este nuevo modelo, la corriente fluirá hacia arriba y hacia abajo por la pila de transistores en lugar de lado a lado, una técnica que parece ser mucho más eficiente. 

También es cierto que esto ha sido un avance lógico. CUando te quedas sin formas de agregar más chips en un plano, la única dirección real es subir (o bajar).

Tal y como apunta The Verge, todavía estamos muy lejos de que esta tecnología se emplee en chips de consumo reales, pero ambas compañías dejan claro que los chips VTFET podrían ofrecer una "mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de energía" en comparación con la tecnología actual. 

Pero como podrás imaginar, la cosa no se queda en un mejor consumo de energía, sino que se muestran bastante ambiciosas con lo que podrían conseguir y apuntan hacia la minería de criptomonedas, cifrado de datos con menor consumo de energía, dispositivos de IoT más potentes o naves espaciales. 

IBM ya ha mostrado su primer chip de 2 nm a principios de este año, que toma una ruta diferente hacia la acumulación de más transistores al aumentar la cantidad que se puede colocar en un chip utilizando el diseño FinFET existente. 

Sin embargo, VTFET apuntaría a llevar las cosas más lejos, aunque probablemente pasará aún más tiempo antes de que veamos chips basados en la última tecnología de IBM y Samsung en el mundo.

Eso sí, no son las únicas compañías que miran con interés esta tecnología. Intel, por ejemplo, presntó una vista previa de su próximo diseño RibbonFET, sucesor espiritual de FinFET que espera lanzar a producción en 2024. 

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